干法刻蚀方法 干法刻蚀加工装置生产技术资料

日期:2019-01-31 05:35:57

   资料编号 >> XZL13568(咨询时请提供资料编号)

   1 02137191.1 Z3MS刻蚀后的干法去胶工艺  订购资料:13310 018 7 78
   2 03114704.6 一种含硅低介电常数材料的干法刻蚀工艺
   3 03104233.3 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
   4 03112020.2 全干法深刻蚀硅溶片制造方法
   5 96109307.2 用干法刻蚀在半导体衬底上形成金属布线的方法
   6 89100864.0 用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
   7 94113231.5 干刻蚀装置
   8 97121898.6 一种复合膜的干刻蚀方法
   9 02115200.4 等离子体对III-V族化合物的干法刻蚀系统及刻蚀方法
   10 200710186488.1 用于干刻蚀的图案屏蔽结构及其方法
   11 200610164885.4 分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺
   12 200710160995.8 用于干刻蚀的图案屏蔽结构及其方法
   13 200610148817.9 干法刻蚀方法
   14 200710173110.8 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
   15 200680027850.4 使用干式刻蚀工艺以有效率地图案化凸块下金属化层的技术
   16 02821836.1 在凹槽刻蚀之前通过干涉法实现的现场监测进行平坦化刻蚀的方法
   17 200410095907.7 磁性材料的干法刻蚀方法
   18 200310109600.3 ****订购资料:13310 018 7 78    一种金属配线的多步干法刻蚀方法
   19 200410095295.1 厚铝的高精度干法刻蚀方法
   20 200610024615.3 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
   21 200510126286.9 一种减少干法清洗工艺对刻蚀均匀性影响的方法
   22 200510126458.2 一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺
   23 200610040806.9 基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法
   24 200610076521.0 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法
   25 201110001999.8 硅化合物膜的干式刻蚀方法
   26 201010027345.8 在超低透光率干法刻蚀工艺中改善图形缺陷的方法
   27 201010619487.3 一种相变材料的干法刻蚀方法
   28 201110078480.X 一种湿法腐蚀与干法刻蚀相结合图形化蓝宝石的方法
   29 201110084161.X 一种硅片干法刻蚀前的整理方法
   30 201110135120.9 一种等离子干法三维刻蚀模拟方法
   31 201110109954.2 紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法
   32 201110092994.0 干刻蚀方法和干刻蚀设备
   33 201010192275.1 一种真空干法刻蚀机的静电处理方法及装置
   34 201110270013.7 一种太阳能电池片干法刻蚀工艺
   35 201110300744.1 硅的干法刻蚀方法
   36 201110388943.2 干法刻蚀第一金属层的方法
   37 201110206462.5 对HfO2</sub>薄膜的高选择性干法刻蚀方法
   38 201110206531.2 多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法
   39 90215562.8 大容量圆筒形平板型干法刻蚀机
   40 201120354264.9 一种用于辅助固定干法刻蚀工艺中装片装置的防护盖板
   41 03157390.8 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
   42 03143279.4 玻璃衬底上全干法深刻蚀硅微机械加工方法
   43 03143281.6 基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法
   44 200310120406.5 用于在干刻蚀期间防止晶片边缘损坏的装置
   45 200410001388.3 多层膜材料的干法刻蚀方法
   46 200710121244.5 一种基于干法刻蚀负载效应的亚波长连续面形微结构制备方法
   47 200810025446.4 硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺及其设备
   48 200710040653.2 一种干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法  订购资料:13310 018 7 78
   49 200810099856.3 硅膜的干刻蚀方法
   50 200810099859.7 氮化硅膜的干刻蚀方法
   51 200710176278.4 一种通过金属铬掩蔽膜进行干法刻蚀的方法
   52 200710094223.9 对深沟槽内的多晶硅进行干法刻蚀的方法
   53 200710177920.0 监测干法刻蚀过程的方法及系统
   54 200910071492.2 连续浮雕结构微光学元件干法刻蚀图形传递误差补偿方法
   55 200780033566.2 用于干法刻蚀含铪材料的方法和系统
   56 200810043264.X 干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法
   57 200810110008.8 磁性材料的干法刻蚀方法
   58 200910092188.6 一种用于双色碲镉汞器件的干法刻蚀方法及刻蚀装置
   59 200910175508.4 硅化合物膜的干式刻蚀方法
   60 201010187540.7 干法刻蚀TaN电极的方法
   61 200810203860.X 消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法
   62 201010110023.X 一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺
   63 201010185118.8 一种用于微结构制造的全干法刻蚀硅溶片制备方法
   64 200910081983.5 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法
   65 200910053152.7 气体输送装置以及干法刻蚀装置
   66 200910053812.1 干法刻蚀连接孔的方法
   67 201010522008.6 一种干法深度刻蚀多层硅结构的掩模方法
   68 200910198097.0 钝化层干法刻蚀方法
   69 201010568673.9 用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法
   70 201110084165.8 一种干法刻蚀硅片的自动检测方法
   71 201010180072.0 改善微机电系统传感薄膜空腔侧壁坡度的干法刻蚀方法
   72 201110222427.2 一种图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀方法
   73 201110186102.3 干法刻蚀方法
   74 201010223352.5 一种HfSiAlON高K介质的干法刻蚀方法
   75 201110279578.1 一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔
   76 201110279593.6 一种干法刻蚀坚硬无机材料基板等离子体刻蚀机的电极
   77 201110279580.9 一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔
   78 201110279589.X 一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统
   79 201110279594.0 一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置
   80 201110309173.8 一种晶硅太阳能电池干法刻蚀夹具
   81 201110222147.1 一种改进的干法刻蚀腔体
   82 201010510215.X 接触孔的等离子体干法刻蚀方法
   83 201010596332.2 干法刻蚀设备反应腔的上部电极
   84 201210037516.4 等离子刻蚀设备反应腔室的干法清洗方法
   85 201110070102.7 沟槽的干法刻蚀方法
   86 201110070085.7 干法刻蚀方法
   87 201210167991.3 一种扩大铝线干法刻蚀腐蚀缺陷工艺窗口的方法
   88 201020171466.5 干法刻蚀设备中真空密封门的安装结构
   89 201020246462.9 玻璃基板的检测设备和干法刻蚀设备
   90 201120352723.X 一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔
   91 201120352733.3 一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置 订购资料:13310 018 7 78
   92 201120453529.0 干刻蚀底部电极及干刻蚀装置

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